casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / MB10H100CTHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | MB10H100CTHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-MB10H100CTHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MB10H100CTHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 760mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10H100CTHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB10H100CTHE3_A/I-FT |
VS-10CDH06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDH06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D45CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel