casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MAX2601ESA+T
Número de pieza del fabricante | MAX2601ESA+T |
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Número de parte futuro | FT-MAX2601ESA+T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MAX2601ESA+T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 15V |
Frecuencia - Transición | 1GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 836MHz |
Ganancia | 11.6dB |
Potencia - max | 6.4W |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 250mA, 3V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1.2A |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC-EP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAX2601ESA+T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MAX2601ESA+T-FT |
BFS25A,115
NXP USA Inc.
BFU520WF
NXP USA Inc.
BFU530WF
NXP USA Inc.
BFU530WX
NXP USA Inc.
BFU550WF
NXP USA Inc.
BFQ67W,115
NXP USA Inc.
BFQ67W,135
NXP USA Inc.
BFR92AW,115
NXP USA Inc.
BFR92AW,135
NXP USA Inc.
BFR93AW,115
NXP USA Inc.
A54SX32A-2FG144
Microsemi Corporation
A1010B-2PLG68C
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27C7N
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGSED8N1F45I2N
Intel
5SGSED8N3F45I3N
Intel
5SGXEA9K2H40C3N
Intel
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C7N
Intel
5AGTMD3G3F31I3N
Intel