casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / MAP6KE11AE3
Número de pieza del fabricante | MAP6KE11AE3 |
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Número de parte futuro | FT-MAP6KE11AE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP6KE11AE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 9.4V |
Voltaje - Avería (Min) | 10.5V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 15.6V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 38A |
Potencia - Pulso pico | 600W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | T-18, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | T-18 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP6KE11AE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MAP6KE11AE3-FT |
M1.5KE8.2CA
Microsemi Corporation
M1.5KE8.2CAE3
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1A
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1AE3
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1CA
Microsemi Corporation
M1.5KE9.1CAE3
Microsemi Corporation
MAD1108E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1109E3/TU
Microsemi Corporation
MALCE100A
Microsemi Corporation
MALCE100AE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel