casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / MAP4KE350AE3
Número de pieza del fabricante | MAP4KE350AE3 |
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Número de parte futuro | FT-MAP4KE350AE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP4KE350AE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 300V |
Voltaje - Avería (Min) | 333V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 482V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 1A |
Potencia - Pulso pico | 400W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP4KE350AE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MAP4KE350AE3-FT |
MAP4KE100CA
Microsemi Corporation
MAP4KE100CAE3
Microsemi Corporation
MAP4KE10A
Microsemi Corporation
MAP4KE10AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE10CA
Microsemi Corporation
MAP4KE10CAE3
Microsemi Corporation
MAP4KE110A
Microsemi Corporation
MAP4KE110AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE110CA
Microsemi Corporation
MAP4KE110CAE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
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5AGXMA1D4F27C5N
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EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel