casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / MAL215852122E3
Número de pieza del fabricante | MAL215852122E3 |
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Número de parte futuro | FT-MAL215852122E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 158 PUL-SI |
MAL215852122E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 1200µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 80V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | 291 mOhm @ 100Hz |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 1.82A @ 100Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | - |
Impedancia | 274 mOhms |
Espaciamiento del plomo | 0.394" (10.00mm) |
Tamaño / Dimensión | 0.866" Dia (22.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.260" (32.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Can - Snap-In - 3 Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAL215852122E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MAL215852122E3-FT |
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A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP4CE40F23C9LN
Intel
5SGXMA4K3F35C2N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-CS196
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C4
Intel