casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MADP-011029-14150T
Número de pieza del fabricante | MADP-011029-14150T |
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Número de parte futuro | FT-MADP-011029-14150T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MADP-011029-14150T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 400V |
Actual - max | 250mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.4pF @ 50V, 1GHz |
Resistencia @ Si, F | 1.9 Ohm @ 10mA, 1GHz |
Disipación de potencia (max) | 7.5W |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | 6-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TDFN (1.5x1.2) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MADP-011029-14150T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MADP-011029-14150T-FT |
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
1SV263-TL-E
ON Semiconductor
1SV249-TL-E
ON Semiconductor
1SV264-TL-E
ON Semiconductor
1SV246-TL-E
ON Semiconductor
1SV315-TL-E
ON Semiconductor
BYM357X,127
NXP USA Inc.
M2GL025TS-FCSG325
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4S40G2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
A40MX02-1PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C3
Intel