casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MADP-011027-14150T
Número de pieza del fabricante | MADP-011027-14150T |
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Número de parte futuro | FT-MADP-011027-14150T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MADP-011027-14150T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Actual - max | 250mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.35pF @ 50V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 2.6 Ohm @ 10mA, 1GHz |
Disipación de potencia (max) | 3.3W |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | 6-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DFN (1.5x1.2) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MADP-011027-14150T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MADP-011027-14150T-FT |
MBD770DWT1G
ON Semiconductor
MBD110DWT1G
ON Semiconductor
MMBD770T1G
ON Semiconductor
MMBD352WT1G
ON Semiconductor
MMBD330T1G
ON Semiconductor
NSVP249SDSF3T1G
ON Semiconductor
MMBD770T1
ON Semiconductor
1SV263-TL-E
ON Semiconductor
1SV249-TL-E
ON Semiconductor
1SV264-TL-E
ON Semiconductor
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel