casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA4P7102F-1072T
Número de pieza del fabricante | MA4P7102F-1072T |
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Número de parte futuro | FT-MA4P7102F-1072T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4P7102F-1072T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Resistencia @ Si, F | 500 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 11.5W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | 2-SMD |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P7102F-1072T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA4P7102F-1072T-FT |
1PS66SB17,115
Nexperia USA Inc.
BAP55LX,315
NXP USA Inc.
BAP1321LX,315
NXP USA Inc.
BAP51L,315
NXP USA Inc.
BAP55L,315
NXP USA Inc.
BA891,115
NXP USA Inc.
BAP64-02,115
NXP USA Inc.
1PS79SB17,115
Nexperia USA Inc.
BAP51-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,115
NXP USA Inc.
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel