casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA4P7001F-1072T
Número de pieza del fabricante | MA4P7001F-1072T |
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Número de parte futuro | FT-MA4P7001F-1072T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4P7001F-1072T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Resistencia @ Si, F | 900 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | 10W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Paquete / Caja | 2-SMD |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P7001F-1072T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA4P7001F-1072T-FT |
BYM359X-1500,127
NXP USA Inc.
BAP64Q,125
NXP USA Inc.
BAP70Q,125
NXP USA Inc.
1PS66SB17,115
Nexperia USA Inc.
BAP55LX,315
NXP USA Inc.
BAP1321LX,315
NXP USA Inc.
BAP51L,315
NXP USA Inc.
BAP55L,315
NXP USA Inc.
BA891,115
NXP USA Inc.
BAP64-02,115
NXP USA Inc.
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel