casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA4E1319-1
Número de pieza del fabricante | MA4E1319-1 |
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Número de parte futuro | FT-MA4E1319-1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4E1319-1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky - Tee |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 7V |
Actual - max | - |
Capacitancia a Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4E1319-1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA4E1319-1-FT |
HSCH-5531
Broadcom Limited
HPND-4028
Broadcom Limited
HMPS-2822-BLK
Broadcom Limited
HSMP-386J-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR2G
Broadcom Limited
BA979-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005-1FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
10AX048K4F35E3SG
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
APA150-TQG100A
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29I3
Intel