casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / MA2C85900E
Número de pieza del fabricante | MA2C85900E |
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Número de parte futuro | FT-MA2C85900E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA2C85900E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 35V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 1.2pF @ 6V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 980 mOhm @ 2mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Paquete / Caja | DO-204AG, DO-34, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO34-A1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2C85900E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MA2C85900E-FT |
HSMS-282B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282F-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR1G
Broadcom Limited
A54SX08A-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C6G
Intel
10M04DAF256A7G
Intel
EP4SGX180KF40I3N
Intel
XC2VP20-6FF1152I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F29E1SG
Intel
EPF10K100ARI240-3
Intel
EP20K200RC208-3
Intel