casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M95512-DRMN3TP/K
Número de pieza del fabricante | M95512-DRMN3TP/K |
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Número de parte futuro | FT-M95512-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRMN3TP/K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 16MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 4ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRMN3TP/K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M95512-DRMN3TP/K-FT |
70V5388S166BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S200BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
BQ2024DBZR
Texas Instruments
BQ2024DBZRG4
Texas Instruments
BQ2022ADBZR
Texas Instruments
BQ2022ADBZRG4
Texas Instruments
BQ2026DBZR
Texas Instruments
BQ2022DBZR
Texas Instruments
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel