casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M95512-DRDW8TP/K
Número de pieza del fabricante | M95512-DRDW8TP/K |
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Número de parte futuro | FT-M95512-DRDW8TP/K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRDW8TP/K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 16MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 4ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRDW8TP/K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M95512-DRDW8TP/K-FT |
FT24C512A-ETR-T
Fremont Micro Devices Ltd
AT25320B-XHL-B
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AT24C16C-XHM-B
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CAT24C04YI-G
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AT24C256C-XHL-B
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AT25040B-XHL-T
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AT24C64D-XHM-B
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LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
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ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
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EP1S20F780C5N
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5SGXEA3H3F35C2LN
Intel