casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M95512-DRDW6TP
Número de pieza del fabricante | M95512-DRDW6TP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M95512-DRDW6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M95512-DRDW6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 16MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRDW6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M95512-DRDW6TP-FT |
CAT24C256YI-G
ON Semiconductor
FT24C512A-ETR-T
Fremont Micro Devices Ltd
AT25320B-XHL-B
Microchip Technology
AT24C16C-XHM-B
Microchip Technology
CAT24C04YI-G
ON Semiconductor
CAT24C08YI-G
ON Semiconductor
AT24CM01-XHM-B
Microchip Technology
CAT93C46YI-G
ON Semiconductor
AT24C256C-XHL-B
Microchip Technology
AT25040B-XHL-T
Microchip Technology
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel