casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M95512-DRDW3TP/K
Número de pieza del fabricante | M95512-DRDW3TP/K |
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Número de parte futuro | FT-M95512-DRDW3TP/K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRDW3TP/K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 16MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 4ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRDW3TP/K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M95512-DRDW3TP/K-FT |
N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8A0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8H0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8H0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW9D0E
Micron Technology Inc.
N25Q128A11BF840F TR
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel