casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M59DR032EA10ZB6
Número de pieza del fabricante | M59DR032EA10ZB6 |
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Número de parte futuro | FT-M59DR032EA10ZB6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M59DR032EA10ZB6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2.2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (7x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M59DR032EA10ZB6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M59DR032EA10ZB6-FT |
M50FLW080AN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW016N5G
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel