casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M59DR032EA10ZB6
Número de pieza del fabricante | M59DR032EA10ZB6 |
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Número de parte futuro | FT-M59DR032EA10ZB6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M59DR032EA10ZB6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2.2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-LFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (7x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M59DR032EA10ZB6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M59DR032EA10ZB6-FT |
M50FLW080AN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW016N5G
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel