casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M58LT128KSB8ZA6E
Número de pieza del fabricante | M58LT128KSB8ZA6E |
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Número de parte futuro | FT-M58LT128KSB8ZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58LT128KSB8ZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frecuencia de reloj | 52MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 85ns |
Tiempo de acceso | 85ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-TBGA (10x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58LT128KSB8ZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M58LT128KSB8ZA6E-FT |
M36L0R7050L3ZSE
Micron Technology Inc.
M36L0R7050L3ZSF TR
Micron Technology Inc.
M36L0R7050T4ZAQE
Micron Technology Inc.
M36L0R7050T4ZAQF TR
Micron Technology Inc.
M36L0R7050T4ZSPE
Micron Technology Inc.
M36L0R7050T4ZSPF TR
Micron Technology Inc.
M36L0R7050U3ZSE
Micron Technology Inc.
M36L0R7050U3ZSF TR
Micron Technology Inc.
M36L0R7060L3ZSE
Micron Technology Inc.
M36L0R7060L3ZSF TR
Micron Technology Inc.