casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / M50100THC1600
Número de pieza del fabricante | M50100THC1600 |
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Número de parte futuro | FT-M50100THC1600 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M50100THC1600 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 3 Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1600V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 100A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 100A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M50100THC1600 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M50100THC1600-FT |
MBR60030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CTR
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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