casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W640GST70ZF6E
Número de pieza del fabricante | M29W640GST70ZF6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W640GST70ZF6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GST70ZF6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-TBGA (10x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GST70ZF6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W640GST70ZF6E-FT |
PC28F00BP33EFA
Micron Technology Inc.
PC28F128J3F75D
Micron Technology Inc.
PC28F128P33B85A
Micron Technology Inc.
PC28F128P33B85B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128P33B85D
Micron Technology Inc.
PC28F128P33BF60A
Micron Technology Inc.
PC28F128P33BF60D
Micron Technology Inc.
PC28F128P33T85A
Micron Technology Inc.
PC28F128P33T85B TR
Micron Technology Inc.
PC28F128P33T85D
Micron Technology Inc.