casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W256GSH70ZS6E
Número de pieza del fabricante | M29W256GSH70ZS6E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M29W256GSH70ZS6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W256GSH70ZS6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (11x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W256GSH70ZS6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W256GSH70ZS6E-FT |
PC28F00AP30EF0
Micron Technology Inc.
PC28F00AP30EFA
Micron Technology Inc.
PC28F00AP30TF0
Micron Technology Inc.
PC28F00AP30TFA
Micron Technology Inc.
PC28F00AP33BF0
Micron Technology Inc.
PC28F00AP33BFA
Micron Technology Inc.
PC28F00AP33EF0
Micron Technology Inc.
PC28F00AP33EFA
Micron Technology Inc.
PC28F00AP33TFA
Micron Technology Inc.
PC28F00BP30EFA
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel