casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W200BB70N6E
Número de pieza del fabricante | M29W200BB70N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W200BB70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W200BB70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8, 128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W200BB70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W200BB70N6E-FT |
MT29F8G16ADADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAWP-Z:C TR
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel