casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W160ET7AN6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W160ET7AN6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W160ET7AN6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W160ET7AN6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W160ET7AN6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W160ET7AN6F TR-FT |
M29F400BB70M6E
Micron Technology Inc.
M29F400BB70M6T TR
Micron Technology Inc.
M29F400BB90M1
Micron Technology Inc.
M29F400BT70M1
Micron Technology Inc.
M29F400BT70M6E
Micron Technology Inc.
M29F400FB55M32
Micron Technology Inc.
M29F400FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB55M3T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB55N3E2
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel