casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W160EB70N3E
Número de pieza del fabricante | M29W160EB70N3E |
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Número de parte futuro | FT-M29W160EB70N3E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W160EB70N3E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W160EB70N3E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W160EB70N3E-FT |
MT29F4G08ABADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABCHC-ET:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABCHC:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4:D
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel