casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W128GSH70ZS6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W128GSH70ZS6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W128GSH70ZS6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GSH70ZS6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (11x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GSH70ZS6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W128GSH70ZS6F TR-FT |
PCF85103C-2T/00,11
NXP USA Inc.
PCF85116-3T/01,112
NXP USA Inc.
PCF85116-3T/01,118
NXP USA Inc.
PCF8582C-2T/03,112
NXP USA Inc.
PCF8582C-2T/03,118
NXP USA Inc.
PCF8594C-2T/02,112
NXP USA Inc.
PCF8594C-2T/02,118
NXP USA Inc.
PCA24S08ADP,118
NXP USA Inc.
PCA24S08DP,118
NXP USA Inc.
NP8P128A13B1760E
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel