casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W128GL70ZA6E
Número de pieza del fabricante | M29W128GL70ZA6E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M29W128GL70ZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GL70ZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-TBGA (10x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GL70ZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W128GL70ZA6E-FT |
PCA8581CT/6,118
NXP USA Inc.
PCA8581T/6,112
NXP USA Inc.
PCA8581T/6,118
NXP USA Inc.
PCF85102C-2T/03,11
NXP USA Inc.
PCF85103C-2T/00,11
NXP USA Inc.
PCF85116-3T/01,112
NXP USA Inc.
PCF85116-3T/01,118
NXP USA Inc.
PCF8582C-2T/03,112
NXP USA Inc.
PCF8582C-2T/03,118
NXP USA Inc.
PCF8594C-2T/02,112
NXP USA Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel