casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29F800DT70N6E
Número de pieza del fabricante | M29F800DT70N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29F800DT70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F800DT70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800DT70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29F800DT70N6E-FT |
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08AACHC:C
Micron Technology Inc.
MT29F4G08AACHC:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABCHC-ET:C TR
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation