casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29DW323DB7AN6F TR
Número de pieza del fabricante | M29DW323DB7AN6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29DW323DB7AN6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29DW323DB7AN6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29DW323DB7AN6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29DW323DB7AN6F TR-FT |
M25PE10-VD11
Micron Technology Inc.
M25PE20-V6D11
Micron Technology Inc.
M25PE40-VMC6G
Micron Technology Inc.
M25PX16-V6D11
Micron Technology Inc.
M25PX32-VMW6E
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMN6TP00
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMN6TPZ1 TR
Micron Technology Inc.
M27C1001-10C1
STMicroelectronics
M27C1001-10C6
STMicroelectronics
M27C1001-12C1
STMicroelectronics
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel