casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29DW128F60ZA6E
Número de pieza del fabricante | M29DW128F60ZA6E |
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Número de parte futuro | FT-M29DW128F60ZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29DW128F60ZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60ns |
Tiempo de acceso | 60ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-TBGA (10x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29DW128F60ZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29DW128F60ZA6E-FT |
SST26WF016BA-104I/CS
Microchip Technology
PCA24S08AD,112
NXP USA Inc.
PCA24S08AD,118
NXP USA Inc.
PCA24S08D,112
NXP USA Inc.
PCA24S08D,118
NXP USA Inc.
PCA24S08D/DG,118
NXP USA Inc.
PCA8581CT/6,112
NXP USA Inc.
PCA8581CT/6,118
NXP USA Inc.
PCA8581T/6,112
NXP USA Inc.
PCA8581T/6,118
NXP USA Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel