casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M27C4002-10F6
Número de pieza del fabricante | M27C4002-10F6 |
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Número de parte futuro | FT-M27C4002-10F6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27C4002-10F6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - UV |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 40-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Paquete del dispositivo del proveedor | 40-CDIP Frit Seal with Window |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C4002-10F6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M27C4002-10F6-FT |
JS28F320J3F75F
Micron Technology Inc.
JS28F512M29AWHB TR
Micron Technology Inc.
JS28F512M29AWLB TR
Micron Technology Inc.
JS28F512M29EBHB TR
Micron Technology Inc.
JS28F512M29EWHB TR
Micron Technology Inc.
JS28F512M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
JS28F512M29EWLD
Micron Technology Inc.
JS28F640J3F75D TR
Micron Technology Inc.
JS28F640J3F75E
Micron Technology Inc.
JS28F640J3F75G
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel