casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M27C1001-12C6
Número de pieza del fabricante | M27C1001-12C6 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M27C1001-12C6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27C1001-12C6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - OTP |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 32-LCC (J-Lead) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-PLCC (11.35x13.89) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C1001-12C6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M27C1001-12C6-FT |
IS65WV1288DBLL-45HLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS65WV1288FBLL-45HLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS65WV1288FBLL-45TLA3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
JR28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWTB TR
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel