casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M27C1001-12B1
Número de pieza del fabricante | M27C1001-12B1 |
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Número de parte futuro | FT-M27C1001-12B1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27C1001-12B1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - OTP |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 32-DIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C1001-12B1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M27C1001-12B1-FT |
71V321L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel