casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / LSM835GE3/TR13
Número de pieza del fabricante | LSM835GE3/TR13 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-LSM835GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LSM835GE3/TR13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 520mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2mA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-215AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSM835GE3/TR13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LSM835GE3/TR13-FT |
HSM180G/TR13
Microsemi Corporation
HSM180GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM180JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM190G/TR13
Microsemi Corporation
HSM190GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM190JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM3100G/TR13
Microsemi Corporation
HSM3100GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM320G/TR13
Microsemi Corporation
HSM320GE3/TR13
Microsemi Corporation
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel