casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQW18AS30NG0ZD
Número de pieza del fabricante | LQW18AS30NG0ZD |
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Número de parte futuro | FT-LQW18AS30NG0ZD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AS30NG0ZD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Inductancia | 30nH |
Tolerancia | ±2% |
Valoración actual | 600mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 144 mOhm Max |
Q @ Freq | 37 @ 250MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 2.25GHz |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 250MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS30NG0ZD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQW18AS30NG0ZD-FT |
LQW18AN4N7C8ZD
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
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M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
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EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel