casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQW18ANR18G80D
Número de pieza del fabricante | LQW18ANR18G80D |
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Número de parte futuro | FT-LQW18ANR18G80D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18ANR18G80D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 180nH |
Tolerancia | ±2% |
Valoración actual | 310mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.65 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 100MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 1.38GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18ANR18G80D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQW18ANR18G80D-FT |
LQW18AN41NG80D
Murata Electronics North America
LQW18AN41NJ80D
Murata Electronics North America
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
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Intel
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