casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQW18ANR10J80D
Número de pieza del fabricante | LQW18ANR10J80D |
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Número de parte futuro | FT-LQW18ANR10J80D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18ANR10J80D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 100nH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 490mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 630 mOhm Max |
Q @ Freq | 34 @ 150MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 1.75GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18ANR10J80D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQW18ANR10J80D-FT |
LQW18AN34NJ80D
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LQW18AN36NG80D
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XC4005E-2PQ208I
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XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2N
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5SGSMD3E3H29C4N
Intel
5SGSMD6N3F45I3N
Intel
5SGXEB6R2F43I3L
Intel
LCMXO2-4000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400ERC240-1
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EP4SGX230FF35C4
Intel