casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQW18AN4N1G80D
Número de pieza del fabricante | LQW18AN4N1G80D |
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Número de parte futuro | FT-LQW18AN4N1G80D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AN4N1G80D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Air |
Inductancia | 4.1nH |
Tolerancia | ±2% |
Valoración actual | 2.2A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 10GHz |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN4N1G80D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQW18AN4N1G80D-FT |
HTEK20161T-R47MSR
Delta Electronics/Cyntec
HTEN20161T-1R0MDR
Delta Electronics/Cyntec
HTEX20161T-4R7MDR
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HTEX25201B-100MSR
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HTEX25201B-4R7MSR
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HTEX25201T-4R7MSDR
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IC0805A822R-10
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IC0805B182R-10
Laird-Signal Integrity Products
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
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M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel