casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQW18AN4N1C80D
Número de pieza del fabricante | LQW18AN4N1C80D |
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Número de parte futuro | FT-LQW18AN4N1C80D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AN4N1C80D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 4.1nH |
Tolerancia | ±0.2nH |
Valoración actual | 2.2A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 10GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN4N1C80D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQW18AN4N1C80D-FT |
LQW18ASR21J0ZD
Murata Electronics North America
LQW18ASR22G0ZD
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LQW18ASR22J0ZD
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel