casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQW18AN4N1B8ZD
Número de pieza del fabricante | LQW18AN4N1B8ZD |
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Número de parte futuro | FT-LQW18AN4N1B8ZD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AN4N1B8ZD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Inductancia | 4.1nH |
Tolerancia | ±0.1nH |
Valoración actual | 2.2A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 10GHz |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0603 (1608 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN4N1B8ZD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQW18AN4N1B8ZD-FT |
LQW18AN27NG00D
Murata Electronics North America
LQW18AN2N2D00D
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A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
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XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
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EP3C25F324C8
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EP20K100EFI324-2X
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