casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQW15AN7N3G80D
Número de pieza del fabricante | LQW15AN7N3G80D |
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Número de parte futuro | FT-LQW15AN7N3G80D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW15 |
LQW15AN7N3G80D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Inductancia | 7.3nH |
Tolerancia | ±2% |
Valoración actual | 1.7A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | 32 @ 250MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 7GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0402 (1006 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.024" (0.60mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW15AN7N3G80D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQW15AN7N3G80D-FT |
LQW2BASR27G00L
Murata Electronics North America
LQW2BASR33G00L
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LQW2BASR33J00L
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LQW21HN1R0J00L
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LQW21HN1R2J00L
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LQW21HN2R2J00L
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XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel