casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / LQR2V822MSEGBN
Número de pieza del fabricante | LQR2V822MSEGBN |
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Número de parte futuro | FT-LQR2V822MSEGBN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQR |
LQR2V822MSEGBN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 8200µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 350V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 27.1A @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 37.94A @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 1.126" (28.60mm) |
Tamaño / Dimensión | 2.500" Dia (63.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 7.598" (193.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - Screw Terminals |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQR2V822MSEGBN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQR2V822MSEGBN-FT |
LNY2W562MSEGBB
Nichicon
LNY2W562MSEGBN
Nichicon
LNY2W562MSEHBB
Nichicon
LNY2W562MSEHBN
Nichicon
LNY2W682MSEGBB
Nichicon
LNY2W682MSEGBN
Nichicon
LNY2W682MSEHBB
Nichicon
LNY2W682MSEHBN
Nichicon
LNY2W682MSEJBB
Nichicon
LNY2W682MSEJBN
Nichicon
A1010B-PQG100C
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR2H43I2
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40I3LG
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
Intel
EPF81188ARC240-3
Intel