casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / LQR2G682MSEHBN
Número de pieza del fabricante | LQR2G682MSEHBN |
---|---|
Número de parte futuro | FT-LQR2G682MSEHBN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQR |
LQR2G682MSEHBN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 6800µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 400V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 25.4A @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 35.56A @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 1.252" (31.80mm) |
Tamaño / Dimensión | 3.000" Dia (76.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 6.024" (153.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - Screw Terminals |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQR2G682MSEHBN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQR2G682MSEHBN-FT |
LNY2V682MSEGBB
Nichicon
LNY2V682MSEGBN
Nichicon
LNY2V682MSEHBB
Nichicon
LNY2V682MSEHBN
Nichicon
LNY2V822MSEGBB
Nichicon
LNY2V822MSEGBN
Nichicon
LNY2V822MSEHBB
Nichicon
LNY2V822MSEHBN
Nichicon
LNY2W102MSEFBB
Nichicon
LNY2W102MSEFBN
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation