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Número de pieza del fabricante | LQH3NPN150MJRL |
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Número de parte futuro | FT-LQH3NPN150MJRL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQH3 |
LQH3NPN150MJRL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 15µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 370mA |
Corriente - Saturación | 650mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 456 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 25MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1212 (3030 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1212 (3030 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQH3NPN150MJRL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQH3NPN150MJRL-FT |
LQH32CN4R7M23L
Murata Electronics North America
LQH32PN2R2NN0L
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LQH32CN100K53L
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A1010B-1PL68C
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A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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XC7A200T-3FBG484E
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XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
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