casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LQG15HH6N2S02D
Número de pieza del fabricante | LQG15HH6N2S02D |
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Número de parte futuro | FT-LQG15HH6N2S02D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQG15 |
LQG15HH6N2S02D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Air |
Inductancia | 6.2nH |
Tolerancia | ±0.3nH |
Valoración actual | 600mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 100MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 4.5GHz |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0402 (1005 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0402 (1005 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.022" (0.55mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG15HH6N2S02D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQG15HH6N2S02D-FT |
LQG15HS8N2J02D
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XC2VP30-6FGG676C
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AGL600V2-FG484I
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APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
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10AX066K2F35I2LG
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5AGXBA5D4F35I5N
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EP2S180F1508C4N
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