casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LPWI201610S2R2T
Número de pieza del fabricante | LPWI201610S2R2T |
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Número de parte futuro | FT-LPWI201610S2R2T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LPWI |
LPWI201610S2R2T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.7A |
Corriente - Saturación | 1.5A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LPWI201610S2R2T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LPWI201610S2R2T-FT |
LQP02HQ3N0B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N0C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N0C02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1B02E
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LQP02HQ3N1B02L
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LQP02HQ3N1C02E
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LQP02HQ3N1C02L
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LQP02HQ3N2C02E
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
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Intel