casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LPWI201610H1R0T
Número de pieza del fabricante | LPWI201610H1R0T |
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Número de parte futuro | FT-LPWI201610H1R0T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LPWI |
LPWI201610H1R0T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.1A |
Corriente - Saturación | 3.6A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 45 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LPWI201610H1R0T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LPWI201610H1R0T-FT |
LQP02HQ3N1B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02L
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LQP02HQ3N2B02E
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LQP02HQ3N2B02L
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LQP02HQ3N2C02E
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LQP02HQ3N2C02L
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LQP02HQ3N3B02E
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LQP02HQ3N3B02L
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LQP02HQ3N3C02E
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XC2S15-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation