casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / LNY2V562MSEHBN
Número de pieza del fabricante | LNY2V562MSEHBN |
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Número de parte futuro | FT-LNY2V562MSEHBN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LNY |
LNY2V562MSEHBN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 5600µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 350V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 17A @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 23.8A @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 1.252" (31.80mm) |
Tamaño / Dimensión | 3.000" Dia (76.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 3.465" (88.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - Screw Terminals |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2V562MSEHBN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LNY2V562MSEHBN-FT |
LNY2G103MSEHBN
Nichicon
LNY2G103MSEJBB
Nichicon
LNY2G103MSEJBN
Nichicon
LNY2G122MSEFBB
Nichicon
LNY2G122MSEFBN
Nichicon
LNY2G123MSEHBB
Nichicon
LNY2G123MSEHBN
Nichicon
LNY2G123MSEJBB
Nichicon
LNY2G123MSEJBN
Nichicon
LNY2G152MSEFBB
Nichicon
A3PN015-QNG68
Microsemi Corporation
EX256-FTQ100
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG176I
Microsemi Corporation
EP3C25F256I7N
Intel
10M50DCF256A7G
Intel
XA6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I1SG
Intel
EP2AGX260FF35C5
Intel