casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / LNY2V562MSEGBN
Número de pieza del fabricante | LNY2V562MSEGBN |
---|---|
Número de parte futuro | FT-LNY2V562MSEGBN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LNY |
LNY2V562MSEGBN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 5600µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 350V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 17.1A @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 23.94A @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 1.126" (28.60mm) |
Tamaño / Dimensión | 2.500" Dia (63.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 4.055" (103.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - Screw Terminals |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2V562MSEGBN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LNY2V562MSEGBN-FT |
LNY2G102MSEFBN
Nichicon
LNY2G103MSEHBB
Nichicon
LNY2G103MSEHBN
Nichicon
LNY2G103MSEJBB
Nichicon
LNY2G103MSEJBN
Nichicon
LNY2G122MSEFBB
Nichicon
LNY2G122MSEFBN
Nichicon
LNY2G123MSEHBB
Nichicon
LNY2G123MSEHBN
Nichicon
LNY2G123MSEJBB
Nichicon
XC4006E-1TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32-1TQG144I
Microsemi Corporation
EPF8282AVTC100-4
Intel
EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEABN1F45C2N
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H2F35I3LN
Intel