casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / LNU2G822MSEHBN
Número de pieza del fabricante | LNU2G822MSEHBN |
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Número de parte futuro | FT-LNU2G822MSEHBN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LNU |
LNU2G822MSEHBN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 8200µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 400V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 24.2A @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 33.88A @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 1.252" (31.80mm) |
Tamaño / Dimensión | 3.000" Dia (76.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 6.811" (173.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - Screw Terminals |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNU2G822MSEHBN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LNU2G822MSEHBN-FT |
LNT2V472MSEGBN
Nichicon
LNT2V472MSEHBB
Nichicon
LNT2V472MSEHBN
Nichicon
LNT2V562MSEGBB
Nichicon
LNT2V562MSEGBN
Nichicon
LNT2V562MSEHBB
Nichicon
LNT2V562MSEHBN
Nichicon
LNT2V681MSEFBB
Nichicon
LNT2V681MSEFBN
Nichicon
LNT2V682MSEHBB
Nichicon
XC3S250E-4TQG144I
Xilinx Inc.
A3P125-2TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX100-N3FGG676C
Xilinx Inc.
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX360KF40I3N
Intel
5SGTMC7K3F40I2N
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FF1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation