casa / productos / Condensadores / Condensadores electrolíticos de aluminio / LNT2V682MSEHBN
Número de pieza del fabricante | LNT2V682MSEHBN |
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Número de parte futuro | FT-LNT2V682MSEHBN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LNT |
LNT2V682MSEHBN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 6800µF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 350V |
ESR (Resistencia en Serie Equivalente) | - |
Lifetime @ Temp. | 5000 Hrs @ 105°C |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Polarización | Polar |
Calificaciones | - |
Aplicaciones | General Purpose |
Corriente de ondulación a baja frecuencia | 26.2A @ 120Hz |
Corriente de ondulación a alta frecuencia | 36.68A @ 10kHz |
Impedancia | - |
Espaciamiento del plomo | 1.252" (31.80mm) |
Tamaño / Dimensión | 3.000" Dia (76.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 6.024" (153.00mm) |
Tamaño de la tierra de montaje en superficie | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Radial, Can - Screw Terminals |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNT2V682MSEHBN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LNT2V682MSEHBN-FT |
LNT2G103MSEJBN
Nichicon
LNT2G123MSEJBB
Nichicon
LNT2G123MSEJBN
Nichicon
LNT2G152MSEFBB
Nichicon
LNT2G152MSEFBN
Nichicon
LNT2G153MSEKBN
Nichicon
LNT2G221MSECBN
Nichicon
LNT2G222MSEGBB
Nichicon
LNT2G222MSEGBN
Nichicon
LNT2G272MSEGBB
Nichicon
XC4008E-2PQ208I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-6SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1VQG100T
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD6N2F45I2N
Intel
XC6SLX45-L1CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S60B956I7
Intel
EP20K400ERC240-3
Intel