casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / LN100LA-G
Número de pieza del fabricante | LN100LA-G |
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Número de parte futuro | FT-LN100LA-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LN100LA-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Cascoded) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 10µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 25V |
Potencia - max | 350mW |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-VFLGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-LFGA (3x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LN100LA-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LN100LA-G-FT |
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